製品情報
HOME > 製品情報 > 半導体製造装置 > R&D用RTP装置 RLA-1200

R&D用RTP装置 RLA-1200
Lamp Annealing System for Rapid Thermal Process RLA-1200

Φ100〜200mmウェーハ対応、R&Dにおいても高品位処理を実現したランプアニール装置。
真空(LP)環境での処理も可能。
R&D用RTP装置 RLA-1200

特長

  • Φ100〜200mmまで幅広いウェーハサイズに対応
  • 手動サセプター搬送採用による低コスト
  • 上下面クロスランプ構造と均熱化装置の採用で面内温度均一性を向上
  • 耐真空設計された石英チューブにより確実なガス置換はもとより減圧中での処理が可能(オプション)
  • オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載

200℃/秒の高速昇温、Φ100〜200mmウェーハ対応、手動サセプター搬送の採用で低コスト化を実現したR&D向けランプアニール装置です。ハロゲンランプによる上下クロスランプ構造採用で優れた面内温度均一性を実現、低コストと高品位処理を両立しています。耐真空設計された石英チューブの採用でクリーンな真空(LP)環境での処理も可能です。

本体寸法(mm) 1300(W)×1300(D)×1850(H)
使用温度範囲 400〜1200℃
昇温レート 最大200℃/sec
ランプ配列 上下面クロス配列
制御ゾーン数 6
ウェーハサイズ(mm) Φ100〜200
ウェーハ搬送 手動
オプション 真空対応、クリーンベンチ
処理 アニール、酸化(減圧中での処理も可能)
処理品 Φ100〜200ウェーハ