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コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置 RLA-3100-V
Lamp Annealing System for Contaca annealing RLA-3100-V

コンタクトアニールの処理が可能。GaN基板の処理も可能。
6インチウェーハ対応、真空(LP)環境・N2ロードロック雰囲気での活性化、酸化処理が可能。 
コンタクトアニール用ランプアニール(RTP)装置 RLA-3100-V

特長

  • 最高使用温度:1200℃
  • 〜6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応
  • 自動ウェーハ載せ替え機構を装備し、C to C 搬送を実現
  • 真空対応によりアニール特性向上
  • N2ロードロック対応により短TATを実現
  • GaN基板の処理も可能

〜6インチウェーハ対応可能なランプアニール装置です。耐真空設計された石英チューブの採用でクリーンな真空(LP)環境、N2ロードロック雰囲気での処理が可能です。GaN基板処理も可能です。

使用温度範囲 600〜1200℃
ウェーハサイズ 〜6インチ
使用ガス N2、Ar、O2、H2
用途 コンタクトアニール、
酸化(減圧中での処理、N2ロードロック環境での処理が可能)