製品情報
HOME > 製品情報 > 半導体製造装置 > パワー半導体(化合物) > コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100-V

コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100-V
Lamp Annealing System for Contaca annealing RLA-3100-V

Si、GaN、SiCなど各種ウェーハに対応。
N2ロードロック対応によりスループット向上。
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-3100-V

特長

  • 真空対応チャンバーおよびN2ロードロック搬送を標準搭載。高いスループットを実現。
  • SiCやGaNウェーハ向けにサセプタ自動載せ替え機能搭載
  • 上下ともハロゲンランプをクロスに設置
  • 6ゾーン制御で簡易に各々のパワー比率が設定可能
  • 放射温度計により非接触でワークの温度を測定し、フィードバック制御が可能

本装置は、複数のハロゲンランプを熱源とし、ウェーハのアニールを短時間で高精度に処理する目的の生産用装置です。

使用温度範囲 400〜1200℃
ウェーハサイズ(mm) Φ150 ※Φ200mm対応も可能
使用ガス N2、Ar、O2、H2
ウェーハ搬送 N2ロードロック対応クリーンロボット
処理 コンタクトアニール、
酸化(減圧中での処理、N2ロードロック環境での処理が可能)