製品情報
HOME > 製品情報 > 半導体製造装置 > コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4106-V

コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4106-V
Lamp Annealing System for Rapid Thermal Process RLA-4106-V

Si、GaN、SiCなど各種ウェーハに対応。
真空ロードロック対応によりスループットが向上。
ランプアニールシステム RLA-4106-V

特長

  • チャンバおよび搬送部に真空ロードロックを標準搭載、高いスループットを実現
  • SiCやGaNウェーハ向けにサセプタ自動載せ替え機能搭載
  • 上下ともハロゲンランプをクロスに設置
  • 6ゾーン制御で簡易に各々のパワー比率が設定可能
  • 放射温度計により非接触でワークの温度を測定し、フィードバック制御が可能

本装置は、複数のハロゲンランプを熱源とし、ウェーハのアニールを短時間で高精度に処理する目的の生産用装置です。

使用温度範囲 400〜1200℃
昇温レート 最大200℃/sec
ランプ配列 上下面クロス配列
制御ゾーン数 6
ウェーハサイズ(mm) Φ150 ※Φ200mm対応も可能
ウェーハ搬送 真空対応クリーンロボット
処理 アニール、酸化
処理品 Si、SiCウェーハ、GaN 他