製品情報
HOME > 製品情報 > 半導体製造装置 > R&D用ミニバッチ縦型炉 VF-1000/VF-1000H

R&D用ミニバッチ縦型炉 VF-1000/VF-1000H
Vertical Furnace for a small of production and R&D VF-1000

実験・研究(R&D)用途で高品位なプロセスを実現する少量生産用縦型炉。
小型で接地面積が少なくすみながらも、
幅広いウェーハ径に対応し量産機と同一の温度特性を発揮。
R&D用ミニバッチ縦型炉 VF-1000/VF-1000H

特長

  • R&Dにおいても高品位なプロセスを実現
  • ミニバッチ、最大25枚処理の選択が可能
  • 〜Φ200mm及び300mmと幅広いウェーハサイズに対応
  • LGOヒータ搭載により、量産機と同一の温度特性を発揮
  • 機能を限定した簡易型制御システムを採用
  • 二珪化モリブデンヒータやカーボンヒータを搭載(Hタイプ)し、超高温プロセスにも対応
  • 機密性の高いチャンバー構造を採用

ミニバッチ、最大25枚の選択処理が可能で、〜Φ200mm、および300mmまで幅広いウェーハサイズに対応した実験・研究(R&D)、少量生産用縦型炉です。LGOヒータ、二珪化モリブデン(MoSi2)ヒータ、カーボンヒータを使い分けることにより、酸化、拡散、LP-CVDはもちろん、SiCパワーデバイス、ゲート酸窒化や活性化アニール向け処理など超高温プロセスにも対応します。

型式 VF-1000 VF-1000H
本体寸法(mm) 1500(W)
×
1000(D)
×
2130(H)
1800(W)
×
1400(D)
×
2300(H)
1500(W)
×
1000(D)
×
2130(H)
1100(W)
×
1190(D)
×
2830(H)
ヒータ LGOヒータ 二珪化モリブデンヒータ カーボンヒータ
均熱長(mm) 250 150 250
ウェーハサイズ(mm) 〜Φ200 Φ300 〜Φ150
一処理枚数 25枚 50枚 25枚 50枚
使用温度 140〜1150℃ 700〜1400℃ 700〜1850℃
オプション N2ロードロック、強制冷却システム
ボート回転機構
N2ロードロック
処理 酸化、拡散、LP-CVD、各種アニール 高温酸化、酸窒化 活性化アニール
処理品 Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3 Si、SiCウェーハ
当社では、設備導入を検討のお客様のためにデモ装置を準備しております。
デモンストレーションのお問い合わせ・お申し込み

※当社ご用意のデモ機は上記標準製品と仕様が異なる場合があります。
 デモ機の仕様についてはお問い合わせください。