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量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H
Turn Table Type Vertical Furnace for Mass-Production VF-5100/VF5100H

〜Φ200mm対応、超高温処理が可能なラージバッチ拡散・LPCVD縦型炉。
生産ラインにあわせたフレキシブルな装置構成で多品種処理に対応。
MEMS、パワーデバイス向けて豊富な出荷実績。
量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H

特長

  • 生産ラインに合わせ、フレキシブルな装置構成可能
  • オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載
  • 5枚一括+枚葉搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
  • LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
  • 二珪化モリブデンヒータを搭載のHタイプをラインアップ
  • 機密性の高いチャンバー構造を採用(Hタイプ)

〜Φ200mmのウェーハに対応し、50〜150枚処理まで選択が可能な生産ラインにあわせフレキシブルに対応する縦型炉です。LGOヒータ、二珪化モリブデン(MoSi2)ヒータを使い分けることにより、酸化、拡散、LP-CVDはもちろん、SiCパワーデバイスのゲート酸窒化処理など超高温プロセスにも対応します。

型式 VF-5100 VF-5100H
本体寸法(mm) 900(W)
×
1850(D)
×
2930(H)
1000(W)
×
1950(D)
×
3300(H)
900(W)
×
1850(D)
×
3150(H)
ヒータ LGOヒータ 二珪化モリブデンヒータ
均熱長(mm) 960 500
ウェーハサイズ(mm) 〜Φ200 Φ200 〜Φ200
一処理枚数(※) 〜Φ150:150枚
 Φ200:100枚
150枚 〜Φ150:100枚
 Φ200:75枚
使用温度 140〜1150℃ 700〜1400℃
ウェーハ搬送 5枚一括+枚葉
オプション N2ロードロック、ホスト通信
強制冷却システム、薄ウェーハ対応
各種サイズのウェーハ兼用可能、ボート回転機構
N2ロードロック
ホスト通信
処理 酸化、拡散、LP-CVD、各種アニール 高温酸化、酸窒化
処理品 Si、GaAs、InP、GaN、Ga2O3 Si、SiCウェーハ

※:ウェーハの厚み、撓みによっては、処理枚数は要相談となります。