製品情報
HOME > 製品情報 > 半導体製造装置 > 8インチウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5300

8インチウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5300
Vertical Furnace for 8inch Wafer VF-5300

8インチウェーハ対応、超高温処理が可能なストッカー内蔵ラージバッチ縦型炉。
酸化・拡散・LPCVD、活性化アニールなど多品種処理が可能な半導体熱処理装置。
8インチウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5300

特長

  • ラージバッチ、最大150枚一括処理可能
  • 最大20個のカセットストッカー
  • LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮
  • 枚葉+5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送
  • オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載

8インチウェーハ最大150枚、最大20個のカセットストッカーを備え、連続バッチ処理が可能なラージバッチ量産タイプの縦型拡散炉です。LGOヒータの採用で低温〜超高温まで優れた温度特性を発揮します。低温アニールやナイトライド(Si3N4)、ポリシリコン(Poly Si)などのLPCVDから酸化拡散まで幅広いプロセスに対応します。また、二珪化モリブデン(MoSi2)ヒータを採用することにより、SiCパワーデバイス向けのゲート酸窒化など超高温プロセスにも対応します。

本体寸法(mm) 900(W)×2300(D)×3250(H)
ヒータ LGOヒータ(標準内径:Φ400mm)
均熱長(mm) 960
ウェーハサイズ 8インチ
最大処理枚数 150枚
I/Oポート 2
カセットストック 20(標準)
ウェーハ搬送 枚葉+5枚一括
コントローラ Model VSC1000
オプション 強制冷却システム、N2ロードロック、HOST通信(HSMS/GEM)、薄型ウェーハ(100μm〜)対応、SMIF対応
用途 酸化・拡散・CVD、活性化アニール処理
処理対象 ナイトライド(SiN)、ドープドポリシリコン(Si3N4)
処理品 シリコンウェーハ、薄型ウェーハ(パワーデバイス向け)