低COO※の熱処理装置として一段と生産性を向上。
ハイパワーLGOヒータを搭載、高Q-TATとして＋50℃/min、−25℃/minを実現。
8インチ最大150枚一括処理が可能な量産タイプ。
シンプルな搬送で高いMTBF。IGBT用薄型ウェーハに対応。
量産システムと同等の酸化、拡散、LPCVDプロセスを低COO※で提供。
SiCパワーデバイスの開発など、小型実験用プロセスに最適。
小型実験機から量産機まで、多様なバリエーションの装置構成が可能。
300mmウェーハに対応、高い温度特性で低COO※を実現。
4〜8インチまで幅広いウェーハサイズに対応、上下面クロスランプ構造と均熱化装置の採用で面内温度均一性を向上。
R&Dにおいても高品位なプロセスを実現。4〜8インチまで幅広いウェーハサイズに対応。
半導体製造技術を投入した太陽光発電セルの生産に優れた装置。
クリーンな環境で高精度な温度制御が可能。
※COO……コスト・オブ・オーナーシップ
