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半導体

半導体製造装置

【パワー半導体 (化合物)】 高温活性化アニール炉 VF-3000H 【パワー半導体 (化合物)】 高温活性化アニール炉 VF-3000H 活性化アニールの超高温プロセスに対応。50枚処理が可能、3インチ〜6インチまで幅広いウェーハサイズに対応。ハードウェアと制御システムの内容を厳選し、R&D用途から量産ラインにまでお使いいただける縦型炉です。
【パワー半導体 (化合物)】 ゲート絶縁膜形成用縦型炉 VF-3000H 【パワー半導体 (化合物)】 ゲート絶縁膜形成用縦型炉 VF-3000H 酸窒化処理に最適なゲート絶縁膜形成用縦型炉、R&D〜量産まで使用可能、3〜6インチウェーハ、ミニバッチ50枚処理が可能な縦型炉。生産ラインに合わせてフレキシブルな装置構成が可能。
コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4106-V コンタクトアニール用ランプアニールシステム RLA-4106-V Si、GaN、SiCなど各種ウェーハに対応。 真空ロードロック対応によりスループットが向上。
【パワー半導体 (化合物)】 コンタクトアニール用RPT RLA3100-V 【パワー半導体 (化合物)】 コンタクトアニール用RPT RLA3100-V 6インチウェーハ対応、真空(LP)環境・N2ロードロック雰囲気での活性化、酸化処理が可能。GaN基板の処理も可能。
【パワー半導体 (Si)】 300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900 【パワー半導体 (Si)】 300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900 Si-IGBT用の数+μm厚ウェーハも安心して搬送できる装置をラインアップ。低温制御性に優れ、裏面電極アニール、ポリイミドキュア等に対応可能。
【パワー半導体 (Si)】 300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700 【パワー半導体 (Si)】 300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700 Si-IGBT用の数+μ厚ウェーハも安心して搬送できる装置をラインアップ。低温制御性に優れ、裏面電極アニール、ポリイミドキュア等に対応可能。
【パワー半導体 (Si)】 量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H 【パワー半導体 (Si)】 量産用ターンテーブル式縦型炉 VF-5100/VF-5100H Si-IGBT用の数+μm厚ウェーハも安心して搬送できる装置をラインアップ。低温制御性に優れ、裏面電極アニール、ポリイミドキュア等に対応可能。
【面発光レーザー】 VCSEL用縦型炉 VF-3000B 【面発光レーザー】 VCSEL用縦型炉 VF-3000B 抜群の低温域の温度制御性・温度再現性を実現できる装置。活性層近傍のAlGaAs層をウェット酸化により酸化狭窄構造の形成が可能です。
【面発光レーザー】 VCSEL用縦型炉 VF-1000B 【面発光レーザー】 VCSEL用縦型炉 VF-1000B 抜群の低温域の温度制御性・温度再現性を実現できる装置。活性層近傍のAlGaAs層をウェット酸化により酸化狭窄構造の形成が可能です。
【MEMS】 MEMS用縦型炉 VF-5100 【MEMS】 MEMS用縦型炉 VF-5100 MEMS向けて豊富な出荷実績。LP-CVDでは厚膜低応力Si3N4膜やPoly-Si膜に対応可能。
300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700 300mmウェーハ対応・ミニバッチ縦型炉 VF-5700 シリコンウェーハ、IGBT、ポリイミド、薄ウェーハの酸化・拡散・CVD熱処理装置。高さ3000mm以下でサイズ的に導入しやすく、短タクトタイム・高スループットをを実現したモデル。
300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900 300mmウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5900 シリコンウェーハ、IGBT、ポリイミド、薄ウェーハの酸化・拡散・CVD熱処理装置。大容量ストッカーを備え、短タクトタイムを実現したフラッグシップモデル。
8インチウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5300 8インチウェーハ対応・ラージバッチ縦型炉 VF-5300 8インチウェーハ対応、超高温処理が可能なストッカー内蔵ラージバッチ縦型炉。酸化・拡散・LPCVD、活性化アニールなど多品種処理が可能な半導体熱処理装置。
量産型フレキシブル縦型炉 VF-5100 量産型フレキシブル縦型炉 VF-5100 4〜8インチ対応、超高温処理が可能なラージバッチ拡散・LPCVD縦型炉。生産ラインにあわせたフレキシブルな装置構成で多品種処理に対応。パワーデバイス製造に最適。
R&D 少量生産用縦型炉 VF-1000 R&D 少量生産用縦型炉 VF-1000 実験・研究(R&D)用途で高品位なプロセスを実現する少量生産用縦型炉。小型で接地面積が少なくすみながらも、幅広いウェーハ径に対応し量産機と同一の温度特性を発揮。
ミニバッチ縦型炉 VF-3000 ミニバッチ縦型炉 VF-3000 R&D〜量産まで使用可能な4〜8インチウェーハ対応の低価格・自動搬送搭載縦型炉。後工程ユーザーにもご採用いただける低コストを実現。超高温処理が可能でパワーデバイス製造に最適。
量産〜実験用横型炉 Model 200 series 量産〜実験用横型炉 Model 200 series 小型実験・研究(R&D)から量産までニーズに合わせた装置設計が可能。シリコンウェーハはもちろん、太陽電池(ソーラー)・太陽光発電(PV)の生産用途にも使用できる横型炉。
4〜8インチ対応ランプアニール(RTP)装置 RLA-3100 4〜8インチ対応ランプアニール(RTP)装置 RLA-3100 4〜8インチウェーハ対応、真空(LP)環境・N2ロードロック雰囲気での活性化、酸化処理が可能。上下クロスランプ構造(ハロゲン)と均熱化装置の採用で面内温度均一性が向上。
4〜8インチ対応ランプアニール(RTP)装置 RLA-1200 4〜8インチ対応ランプアニール(RTP)装置 RLA-1200 4〜8インチウェーハ対応、R&Dにおいても高品位処理を実現したランプアニール装置。真空(LP)環境・N2ロードロック雰囲気での活性化、酸化処理が可能。
卓上型ランプ装置 卓上型ランプ装置 従来のランプアニール装置では不可能であった400℃以下の温度でも制御可能な実験・開発用装置です。
300mmウェーハ対応クリーンオーブン SO2-12-F 300mmウェーハ対応クリーンオーブン SO2-12-F 300mm(12インチ)ウェーハ対応の半導体製造向けクリーンオーブン。FOUP対応で50枚/1チャンバーの全自動処理が可能。ポリイミドキュアなどの低温処理に。

科学機器

KTF1200℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 KTF1200℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 実験・研究ラボ用途の電気炉(管状炉:チューブ炉)。 横型・卓上タイプで省エネ。炉芯管で雰囲気処理が可能。
KTF1100℃シリーズ 3ゾーン制御用管状炉 KTF1100℃シリーズ 3ゾーン制御用管状炉 実験・研究ラボ用途の3ゾーン制御高精度タイプ電気炉(管状炉:チューブ炉)。横型・卓上タイプで省エネ。炉芯管で雰囲気処理が可能。
KTF1200℃シリーズ 3ゾーン制御用管状炉 KTF1200℃シリーズ 3ゾーン制御用管状炉 実験・研究ラボ用途の3ゾーン制御高精度タイプ電気炉(管状炉:チューブ炉)。全ゾーン過熱防止計、半割式モルダサームヒーター採用のグレードアップタイプ。
KTF1500℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 KTF1500℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 実験・研究ラボ用途のSiCヒーター採用の電気炉(管状炉:チューブ炉)。横型・卓上タイプで省エネ。炉芯管追加で雰囲気処理が可能。
KTF1700℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 KTF1700℃シリーズ 1ゾーン制御用管状炉 実験・研究ラボ用途のMoSiO2ヒーター採用の電気炉(管状炉:チューブ炉)。横型・卓上タイプで省エネ。炉芯管追加で雰囲気処理が可能。
クリーンオーブン CLOシリーズ クリーンオーブン CLOシリーズ 内槽全周シール構造による高気密化でクラス100の空気清浄度を達成、窒素(N2)雰囲気の処理も可能。温度均一性に優れた熱風循環方式の採用でキュア、アニール処理の歩留まりを向上。
ハイテンプクリーンオーブン CLHシリーズ ハイテンプクリーンオーブン CLHシリーズ 耐熱高性能フィルターと独自冷却器の採用でクリーン環境下での高温ベークが可能。熱風循環方式でウェハー、ガラス基板のベーキング・エージング、ポリイミドキュア、アニールを高精度処理。